一家為北方華創(chuàng )、中微公司、拓荊科技等國內半導體設備龍頭企業(yè)提供核心部件的企業(yè)，正在向科創(chuàng )板發(fā)起沖擊。

近日，科創(chuàng )板受理了恒運昌的IPO申請。該公司主要圍繞等離子體工藝打造產(chǎn)品矩陣，自研產(chǎn)品包括等離子體射頻電源系統、等離子體激發(fā)裝置、等離子體直流電源等；同時(shí)還為晶圓廠(chǎng)提供等離子體射頻電源系統原位替換及維修等技術(shù)服務(wù)。

目前，恒運昌的產(chǎn)品獲得了市場(chǎng)的廣泛認同，客戶(hù)包括拓荊科技、中微公司、北方華創(chuàng )、微導納米、盛美上海等國內頭部半導體設備商，并已成為薄膜沉積、刻蝕環(huán)節國內頭部設備商的戰略級供應商。

等離子體工藝設備：構成刻蝕機、薄膜設備的核心部件

眾所周知，刻蝕機、薄膜設備是半導體制造的核心設備。但是你知道刻蝕機、薄膜設備的核心零部件有哪些么？等離子體工藝設備就是其中一種。

在介紹離子體工藝設備前，我們必須了解什么是等離子體。這是在特定條件下氣體電離而產(chǎn)生的區別于固、液和氣三態(tài)的物質(zhì)第四態(tài)，閃電、火焰、太陽(yáng)就是等離子體。等離子體由帶電粒子、中性粒子、自由基等組成，具有獨特的光、熱、電物理特性以及高活性、高能量的特點(diǎn)。

其中，刻蝕主要利用等離子體中的帶電離子，在電場(chǎng)中加速獲得了方向性，從而實(shí)現更精準地方向性刻蝕，能夠在極小范圍內有選擇性地去除目標材料而不損壞其他部分；還能實(shí)現刻蝕的垂直形貌和高深寬比的刻蝕通孔。

薄膜沉積主要利用等離子體的高活性，從而降低溫度，加快化學(xué)反應的速率，避免高溫對晶圓的損傷和副反應的出現。并且還有提升薄膜沉積速率，實(shí)現良好的附著(zhù)性、超薄均勻鍍膜、高臺階覆蓋率的工藝效果。

當然，等離子體工藝設備的應用領(lǐng)域并不止刻蝕和薄膜沉積兩個(gè)環(huán)節，還包括離子注入、清洗去膠、鍵合等環(huán)節以及光伏電池片的薄膜沉積、顯示面板鍍膜、精密光學(xué)鍍膜、常壓等離子體清洗等工業(yè)生產(chǎn)環(huán)節。

成功替代海外設備 為晶圓廠(chǎng)的可持續性生產(chǎn)提供保障

恒運昌招股書(shū)顯示，等離子體射頻電源系統在晶圓廠(chǎng)使用過(guò)程中會(huì )出現老化、故障等問(wèn)題，需要及時(shí)進(jìn)行維修、更換。但由于一些眾所周知的原因，國內主要晶圓廠(chǎng)被列入實(shí)體清單，無(wú)法向原海外設備供應商申請采購備件或維修服務(wù)，導致生產(chǎn)可持續性出現較大風(fēng)險。

恒運昌強調，針對國內晶圓廠(chǎng)已斷供或難以維修的等離子體射頻電源系統產(chǎn)品，公司承接了中芯國際、長(cháng)江存儲等晶圓廠(chǎng)的進(jìn)口等離子體射頻電源系統的原位替換或維修任務(wù)，為國內晶圓廠(chǎng)的穩定運轉和生產(chǎn)可持續性提供了堅實(shí)的保障。

具體來(lái)說(shuō)，2021年，恒運昌向中芯國際交付Bestda等離子體射頻電源，實(shí)現了國內首顆刻蝕設備用射頻電源的原位替換。2022年，恒運昌Aspen系列等離子體射頻電源和Basalt系列匹配器在中芯國際晶圓產(chǎn)線(xiàn)上替代了CVD（化學(xué)氣相沉積）工藝設備中的海外等離子體射頻電源及匹配器產(chǎn)品。

除了為晶圓廠(chǎng)提供替換服務(wù)，恒運昌的等離子體工藝設備還被廣泛用于中微公司、拓荊科技的新一代薄膜設備、刻蝕機中。

近年來(lái)，恒運昌在等離子體工藝設備方面取得了巨大的進(jìn)步，公司Bestda系列和最新一代產(chǎn)品Aspen系列均已通過(guò)驗證并量產(chǎn)，其中Bestda系列可支撐28納米制程，最新一代產(chǎn)品Aspen系列可支撐14納米先進(jìn)制程，并已達到與MKS、AE次新一代產(chǎn)品同等的性能指標。

恒運昌強調，2023年，公司最新一代的Aspen系列等離子體射頻電源和Basalt系列匹配器已經(jīng)隨拓荊科技新一代P系列薄膜沉積設備、中微公司新一代N系列刻蝕設備交付國內頭部晶圓廠(chǎng)，目前已經(jīng)進(jìn)入晶圓生產(chǎn)的正式驗證。